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SUD50N02-06P-E3-HXY

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描述: 该N沟道场效应管额定漏极电流为60A，漏源击穿电压20V，导通电阻低至5毫欧，栅源驱动电压12V。凭借低导通损耗特性，器件适用于大电流开关场景，如服务器电源模块、电池管理系统及高性能电机驱动电路。其参数设计旨在优化能效表现，满足高功率密度电子设备对快速响应与稳定运行的严苛要求，确保系统在持续高负载工况下保持可靠工作状态。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SUD50N02-06P-E3-HXY
商品编号: C54582424
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.402克(g)

商品参数

SUD50N02-06P-E3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。封装形式为TO-252-2L。