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NVTFS030N06CTAG-HXY

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描述: 该N沟道场效应管漏极电流为20A，漏源击穿电压60V，导通电阻24毫欧，栅源电压耐受值20V。其参数特性适合中等功率开关应用，常见于笔记本电脑适配器、LED照明驱动及便携式设备电源管理电路。器件在60V电压等级下提供稳定的电流控制能力，24毫欧的导通阻抗有助于平衡导通损耗与封装尺寸，满足消费电子对空间布局与能效的具体要求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NVTFS030N06CTAG-HXY
商品编号: C54582489
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.088克(g)

商品参数

NVTFS030N06CTAG采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。