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SIS4634LDN-T1-GE3-HXY

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描述: 该N沟道场效应管最大漏极电流为20A，漏源击穿电压60V，导通电阻典型值24mΩ，栅源驱动电压支持至20V。低导通阻抗特性有助于降低传导损耗，提升电源转换效率。适用于电机驱动、开关电源及电池管理系统等中大功率场景，满足高电流开关需求，确保电路在紧凑设计中稳定运行。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SIS4634LDN-T1-GE3-HXY
商品编号: C54582428
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.091667克(g)

商品参数

SIS4634LDN-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。