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NVD5C688NLT4G-HXY
NVD5C688NLT4G-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管最大漏极电流为30安培，漏源击穿电压达60伏，导通电阻仅为22毫欧。低导通损耗特性使其在高效电源转换电路中表现优异，适用于服务器供电模块、电池管理系统及大功率直流电机驱动等场景。其紧凑封装设计利于提升电路板功率密度，满足高性能电子设备对能效与散热的严苛要求。
- 商品型号
- NVD5C688NLT4G-HXY
- 商品编号
- C54582484
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.406克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 86pF |
商品概述
NVD5C688NLT4G采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并可在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。封装形式为TO - 252 - 2L。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 30A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 26mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- N沟道MOSFET
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