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IPD100N06S403ATMA2-HXY

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描述: 该N沟道场效应管漏源击穿电压为60V，栅源电压耐受值达20V，支持130A连续漏极电流，导通电阻仅为3mΩ。极低内阻显著降低大电流下的导通损耗与温升。器件适用于高功率密度电源、电池储能系统及重型电机驱动等场景，能够在严苛负载条件下实现高效电能切换与稳定功率传输。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IPD100N06S403ATMA2-HXY
商品编号: C54582431
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.396克(g)

商品参数

IPD100N06S403ATMA2采用先进的SGT MOSFET技术，提供低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性。

消费电子电源、电机控制、同步整流、隔离直流、同步整流应用、TO - 252 - 2L封装、N沟道MOSFET