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IPD033N06NATMA1-HXY
IPD033N06NATMA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管额定漏极电流130A，漏源击穿电压60V，导通电阻3毫欧，栅源耐压20V。低导通电阻特性使其在大电流路径中功耗极低，适用于高性能服务器电源、储能变流器及大功率电机驱动。参数表明器件能在高负载下保持高效开关动作，适合对热管理和能效比有严格要求的精密电子设备，确保系统在持续大电流工况下的稳定运行。
- 商品型号
- IPD033N06NATMA1-HXY
- 商品编号
- C54582488
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66.1nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5.377nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.666nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
IPD033N06NATMA1采用先进的SGT MOSFET技术，以提供低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 130A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 3.5mΩ
应用领域
消费电子电源、电机控制、同步整流、隔离直流同步整流应用
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