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IPD90N06S4L03ATMA2-HXY

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描述: 该N沟道场效应管额定漏极电流为130A，漏源击穿电压60V，导通电阻低至3毫欧，栅源电压耐受20V。凭借低导通损耗特性，器件适用于大电流开关场景，如电源转换模块、电池管理系统及电机驱动电路。其参数设计旨在优化能效表现，满足高功率密度电子设备对开关元件的严苛要求，确保在持续高负载工况下维持稳定运行性能。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IPD90N06S4L03ATMA2-HXY
商品编号: C54582486
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.404克(g)

商品参数

IPD90N06S4L03ATMA2采用先进的SGT MOSFET技术，提供低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性。