温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

NDP6060L-HXY

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 该N沟道场效应管漏源击穿电压为60V，栅源耐压达20V，支持60A连续漏极电流，导通电阻典型值为17mΩ。此参数组合在中等电流应用中实现了损耗与成本的平衡。器件适用于服务器电源、通信设备供电及电动工具驱动等场景，能够在大电流开关过程中保持稳定的导通特性，确保功率转换系统的高效运行。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NDP6060L-HXY
商品编号: C54582432
商品封装: TO-220C
包装方式: 管装
商品毛重: 2.754167克(g)

商品参数

NDP6060L采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。