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SUD08P06-155L-GE3-HXY

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描述: 该P沟道场效应管最大漏极电流10A，漏源击穿电压60V，导通电阻125mΩ，栅源驱动电压支持至20V。作为高侧开关使用时，其特性可简化电路驱动设计，无需额外电荷泵。适用于电源极性保护、负载切换及便携式设备管理电路，在中等电流应用中提供可靠的反向电压阻断与通断控制能力。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SUD08P06-155L-GE3-HXY
商品编号: C54582430
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.402041克(g)

商品参数

SUD08P06 - 155L - GE3采用先进的沟槽技术，能够提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并可在低至4.5V的栅极电压下运行。该器件适用于电池保护或其他开关应用。