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IPD034N06N3GATMA1-HXY

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描述: 该N沟道场效应管最大漏极电流为130A，漏源击穿电压60V，导通电阻低至3毫欧，栅源电压耐受20V。低导通阻抗特性使其在大电流切换时损耗显著降低，适用于服务器电源、电池管理系统及高性能电机驱动等场景。器件在高频开关应用中表现稳定，能有效提升电源转换效率并优化热管理设计，满足高功率密度电子设备的严苛需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IPD034N06N3GATMA1-HXY
商品编号: C54582426
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.410204克(g)

商品参数

IPD034N06N3GATMA1采用先进的SGT MOSFET技术，可提供低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性。

消费电子电源、电机控制、同步整流、隔离直流、同步整流应用