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2N7002PW-HXY
2N7002PW-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管最大漏极电流为0.1A，漏源击穿电压60V，导通电阻高达1300毫欧，栅源电压耐受20V。由于导通阻抗较大，该器件主要适用于小信号切换、逻辑电平转换及高阻抗负载驱动场景。常见于便携式仪器信号通路控制、传感器偏置电路及低功耗待机管理模块，在微安至毫安级电流应用中提供基础的开关功能与电路隔离保护。
- 商品型号
- 2N7002PW-HXY
- 商品编号
- C54582427
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039796克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
2N7002PW采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60V，漏极电流ID = 0.115A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 3Ω
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- N沟道MOSFET
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