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SI2312BDS-T1-BE3-HXY
SI2312BDS-T1-BE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管最大漏极电流为4.5A，漏源击穿电压20V，导通电阻23mΩ，栅源电压额定值12V。器件在20V电压范围内具备低导通损耗特性，适用于笔记本电脑电源管理、电池保护电路及便携式设备负载开关。其参数设计有助于优化系统能效，适合对空间和热性能有严格要求的消费类电子应用。
- 商品型号
- SI2312BDS-T1-BE3-HXY
- 商品编号
- C54582425
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品概述
SI2312BDS-T1-BE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压V_DS = 20V，漏极电流I_D = 3.0A
- 当栅源电压V_GS = 4.5V时，导通电阻R_DS(ON) < 35mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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