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NTR3162PT1G-HXY
NTR3162PT1G-HXY
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- 描述
- 该P沟道场效应管漏极电流为4.2A，漏源击穿电压20V，导通电阻48毫欧，栅源驱动电压12V。作为高侧开关或负载切换元件，其参数适用于便携式设备电源管理、电池保护电路及信号路由模块。器件在中等电流应用中提供可靠的反向极性控制，配合12V逻辑电平驱动，可简化外围电路设计，满足消费电子对空间布局与功耗平衡的特定需求。
- 商品型号
- NTR3162PT1G-HXY
- 商品编号
- C54582422
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
NTR3162PT1G采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -4.2A
- RDS(ON)：在VGS = -4.5V时为55mΩ
- RDS(ON)：在VGS = -2.5V时为75mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- SOT-23封装
- P沟道MOSFET
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