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NTR3162PT3G-HXY

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描述: 该P沟道场效应管额定漏极电流4.2A，漏源击穿电压20V，导通电阻48毫欧，栅源驱动电压12V。器件专为高侧开关应用设计，适用于笔记本电脑电源管理、电池组保护电路及便携式设备负载切换。其参数特性支持在中等电流下实现高效通断控制，配合12V驱动电平可简化逻辑接口，满足消费电子对紧凑布局与稳定运行的技术要求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NTR3162PT3G-HXY
商品编号: C54582423
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.038克(g)

商品参数

NTR3162PT3G采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。