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QNN80N06AJ
N沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，导通电阻低、栅极电荷低，无铅
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- 描述
- 1个N沟道，共源配置；Vdss=60V，Id=60A；RDS(ON)=10.2mΩ@4.5V;8.4mΩ@10V；Vgs=±20V，VGS(th)=1.1~2.5V；Ciss=4032pF，Coss=186pF，Crss=152pF；Pd=42W，Qg=77nC@10V；TJ=-55~150℃；无铅、先进沟槽工艺；应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QNN80N06AJ
- 商品编号
- C54300934
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.154克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 60V、60A
- RDS(ON)典型值 = 8.4mΩ，栅源电压(VGS) = 10V
- RDS(ON)典型值 = 10.2mΩ，栅源电压(VGS) = 4.5V
- 先进的沟槽技术
- 出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷
- 无铅
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理