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QNN150N06
N沟道MOSFET，具有低导通电阻和低栅极电荷，无卤、符合RoHS标准、无铅电镀，适用于负载开关、PWM应用和电源管理 停产
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- 描述
- 1个N沟道，共源配置；Vdss=60V，Id=114A；RDS(ON)=4.5mΩ@8V;3.7mΩ@10V；Vgs=±20V，VGS(th)=2.0~3.9V；Ciss=5114pF，Coss=363pF，Crss=318pF；Pd=118W，Qg=98nC@10V；TJ=-55~150℃；无铅、无卤素、符合 RoHS 标准；应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QNN150N06
- 商品编号
- C54300933
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.155克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 114A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 118W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 98nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.114nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 318pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 363pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 60V，114A
- RDS(ON) = 3.7mΩ，VGS = 10V（典型值）
- RDS(ON) = 4.5mΩ，VGS = 8.0V（典型值）
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 无卤；符合RoHS标准
- 无铅电镀
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理