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QNN150N06
N沟道MOSFET，具有低导通电阻和低栅极电荷，无卤、符合RoHS标准、无铅电镀，适用于负载开关、PWM应用和电源管理
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- 描述
- 1个N沟道，共源配置；Vdss=60V，Id=114A；RDS(ON)=4.5mΩ@8V;3.7mΩ@10V；Vgs=±20V，VGS(th)=2.0~3.9V；Ciss=5114pF，Coss=363pF，Crss=318pF；Pd=118W，Qg=98nC@10V；TJ=-55~150℃；无铅、无卤素、符合 RoHS 标准；应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QNN150N06
- 商品编号
- C54300933
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.155克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 60V，114A
- RDS(ON) = 3.7mΩ，VGS = 10V（典型值）
- RDS(ON) = 4.5mΩ，VGS = 8.0V（典型值）
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 无卤；符合RoHS标准
- 无铅电镀
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理