QNN100N077G

N沟道SGT MOSFET，采用先进分裂栅沟槽技术，导通电阻低、栅极电荷低

描述

1个N沟道，共源配置；Vdss=100V，Id=80A；RDS(ON)=6.9mΩ@10V；Vgs=±20V，VGS(th)=1.2~2.2V；Ciss=1987pF，Coss=629pF，Crss=12pF；Pd=52W，Qg=39nC@10V；TJ=-55~175℃；无铅、先进分裂栅沟槽工艺；应用于负载开关、PWM应用、电源管理。

品牌名称

QNHCHIP(乾能惠)

商品型号

QNN100N077G

商品编号

C54300932

商品封装

PDFN-8(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.145克(g)