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QNM150N03C
采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET，具有低导通电阻和低栅极电荷
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- 描述
- 1个N沟道，共源配置；Vdss=30V，Id=61A；RDS(ON)=4.8mΩ@4.5V;3.4mΩ@10V；Vgs=±20V，VGS(th)=1.0~2.0V；Ciss=3577pF，Coss=373pF，Crss=334pF；Pd=11W，Qg=38nC@10V；TJ=-55~150℃；无铅、先进沟槽工艺；应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QNM150N03C
- 商品编号
- C54300931
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.077克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
采用先进沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
商品特性
- 30V、61A
- RDS(ON)典型值 = 3.4mΩ，栅源电压VGS = 10V
- RDS(ON)典型值 = 4.8mΩ，栅源电压VGS = 4.5V
- 先进沟槽技术
- 出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
- 无铅
应用领域
负载开关、PWM应用、电源管理