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QNN80N10
N沟道MOSFET，超低导通电阻，低栅极电荷，无铅镀层，无卤且符合RoHS标准
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- 描述
- 1个N沟道，共源配置；Vdss=100V，Id=93A；RDS(ON)=7.3mΩ@4.5V;5.6mΩ@10V；Vgs=±20V，VGS(th)=1.2~2.5V；Ciss=2200pF，Coss=791pF，Crss=143pF；Pd=104W，Qg=34nC@10V；TJ=-55~150℃；无铅、无卤素、符合 RoHS 标准；应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QNN80N10
- 商品编号
- C54300930
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.151克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 100V，93A
- RDS(ON)（@VGS = 10V）典型值 = 5.6mΩ
- RDS(ON)（@VGS = 4.5V）典型值 = 7.3mΩ
- 超低RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 无铅引脚电镀
- 无卤且符合RoHS标准
应用领域
- 电信、工业自动化、消费电子领域的电源管理
- DC/DC和AC/DC子系统中的电流开关
- 电动工具、电动车、机器人中的电机驱动