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NSG2000
快速高压侧NMOS静态开关驱动器，内置高压侧充电电路，适合高频开关和静态开关应用
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NSG2000
- 商品编号
- C53436459
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 高边 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 灌电流(IOL) | 600mA | |
| 拉电流(IOH) | 290mA | |
| 工作电压 | 4.5V~20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 70ns | |
| 下降时间(tf) | 30ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.5V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV |
商品概述
NSG2000是一款快速、高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器，采用高达250V的输入电压工作。该器件可实现负责全面增强外部N沟道MOSFET开关的充电结构，使其能够无限期保持导通。其强大的驱动器能轻松以极短转换时间驱动大的栅极电容，非常适合高频开关应用或要求快速接通和/或关断时间的静态开关应用。NSG2000采用SOP8封装，可在 -40℃ ~ 125℃温度范围内工作。
商品特性
- 宽工作范围VIN：最高250V
- 针对快速导通和关闭通道，具有150ns传输延迟
- 内置高压侧充电电路，可实现100%占空比
- 可调导通占空比
- 栅极驱动器电源电压为4.5V ~ 20V
- VIN过压闭锁
- 驱动器电源VCC欠压闭锁——欠压锁定正向阈值4.2V，欠压锁定负向阈值4V
- 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
- TS负压耐受能力达 -9V
- 宽温度范围 -40℃ ~ 125℃
- 输出级拉电流/灌电流能力290mA/600mA
- 符合RoHS标准SOP8 (S)
应用领域
- 高边开关控制器
- 静态开关驱动器
- 负载和电源开关驱动器
- 电子阀驱动器
- 高频高压侧栅极驱动器
- 光伏关断器