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NSG21531D
集成50%占空比振荡器和半桥驱动器的MOSFET/IGBT驱动芯片，具备微功耗启动、死区逻辑和自举二极管
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NSG21531D
- 商品编号
- C53436477
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.404464克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
NSG2153(1)D是一款集成了50%占空比振荡器的600V半桥栅极驱动器，能够驱动N型MOSFET或IGBT器件。NSG2153(1)D的CT端在低电压（1/6 Vcc）时能够同时关断高低侧输出。当VCC电压低于欠压阈值时，NSG2153(1)D会将CT端电压拉低，同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)D具有很强的输出驱动能力，输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到+1.2A/-1.5A。NSG2153(1)D内置死区逻辑，防止高低侧功率MOSFET或IGBT器件直通。另外，NSG2153(1)D集成有自举二极管，用于对高侧进行自举充电。
商品特性
- 集成50%占空比振荡器和半桥驱动器
- CT、RT可编程振荡器
- Vcc到COM之间有15.6V齐纳钳位
- 微功耗启动
- CT引脚非锁定关断（1/6 Vcc）
- 半桥浮地通道最高工作电压为+600V
- dVs/dt耐受能力可达±50 V/ns
- Vs负偏压能力达-9V
- 欠压锁定（上升/下降）：
- VCC为11/9V
- VBS为9/8V
- 输出拉/灌电流能力为+1.2A/-1.5A
- 内置死区时间：
- NSG2153D为1.1μs
- NSG21531D为0.6μs
- 集成自举二极管
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电机控制与驱动
- 机器人及自动化
- 电动工具