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NSG2153D
高压高速功率MOSFET自振荡半桥驱动芯片，内置死区电路和自举电路，采用SOP8封装
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NSG2153D
- 商品编号
- C53436478
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.511843克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
NSG2153D是一款高压、高速功率MOSFET自振荡半桥驱动芯片。其浮动通道可用于驱动高低侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达600V。内置1.1μs死区电路，可有效防止高低侧功率管直通。内置自举电路，可简化芯片外围电路。采用SOP8封装，可在 -40℃ ~ 125℃温度范围内工作。
商品特性
- 最高工作电压为 +600V
- CT、RT可编程振荡器
- 微功率启动
- CT引脚上的非锁定关断特性（1/6 VCC）
- VCC钳位电压为15.6V
- 集成VCC欠压锁定电路——正/负欠压阈值：11V/9V
- 集成VBS欠压锁定电路——正/负欠压阈值：9V/8V
- 死区时间DT = 1.1μs
- 输出级拉电流/灌电流能力1.2A/1.5A
- dV/dt耐受能力可达 +50V/ns
- 集成自举
- 宽温度范围 -40℃ ~ 125℃
- 符合RoHS标准
- SOP8封装
应用领域
- 电源管理
- 电子照明
- 逆变器
- 电机驱动