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G2063Q
高压高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺，具有独立高低侧参考输出通道，逻辑输入电平兼容CMOS或LSTTL，输出大电流脉冲能力，具备防直通死区逻辑
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- G2063Q
- 商品编号
- C53436485
- 商品封装
- QFN-24(4x4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.192116克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
G2063Q是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺，使高、低侧栅驱动电路可单芯片集成，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。其逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V，需额外的自举电路支持。高侧与低侧均包含欠压保护功能。该芯片为QFN4X4 - 24封装，可在-40℃至125℃温度范围内工作。
商品特性
- 自举工作的浮地通道
- 最高工作电压为+250V
- 兼容3.3/5V输入逻辑
- dVs/dt耐受能力可达±50V/ns
- Vs负偏压能力达-9V
- 栅极驱动电压范围5V至20V
- 高、低侧电源4.5V欠压锁定
- 高、低侧输入输出同相逻辑
- 防直通死区逻辑
- 死区时间设定200ns
- 开通/关断传输延时Ton/Toff = 150ns/120ns
- 延迟匹配时间小于50ns
- 宽温度范围-40~125℃
- 输出级拉电流/灌电流能力1.5A/1.8A
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电机控制
- 空调/洗衣机
- 通用逆变器
- 微型逆变器驱动