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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NSG2203U

自举工作的浮地通道高压高速功率MOSFET高低侧驱动芯片,具独立输出通道、大电流脉冲能力和防直通死区逻辑,兼容多种输入逻辑

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商品型号
NSG2203U
商品编号
C53436488
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.230246克(g)

商品参数

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参数完善中

商品概述

NSG2203U 是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片,具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺,使高、低侧栅驱动电路可单芯片集成。逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平,输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。其浮动通道可用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET,浮地通道最高工作电压可达 250V,该浮动通道需要额外的自举电路支持。高侧与低侧均包含欠压保护功能。采用 SOP8 封装,可在 -40°C ~ 125°C 温度范围内工作。

商品特性

  • 自举工作的浮地通道
  • 最高工作电压为 +250V
  • 兼容 3.3V、5V 和 15V 输入逻辑
  • dVS/dt 耐受能力可达 ±50V/ns
  • 栅极驱动电压从 5V 到 20V
  • 集成欠压锁定电路
  • VCC 欠压锁定正向阈值 4.5V
  • VCC 欠压锁定负向阈值 4V
  • VBS 欠压锁定正向阈值 4V
  • VBS 欠压锁定负向阈值 3.7V
  • 防直通死区逻辑
  • 死区时间设定 250ns
  • 芯片传输延时特性
  • 开通/关断传输延时 Ton/Toff = 350ns/100ns
  • 延迟匹配时间 50ns
  • 宽温度范围 -40°C ~ 125°C
  • 输出级拉电流/灌电流能力 4.5A/4.5A
  • 符合 RoHS 标准
  • SOP8 封装

应用领域

  • 电机驱动
  • DC-DC 转换器

数据手册PDF