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NSG21276
带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片，采用高低压兼容工艺，内置过流保护和欠压锁定电路
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NSG21276
- 商品编号
- C53436469
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.874746克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
NSG21276是一款带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺，实现高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，检测到过流状态时，关断芯片输出，漏极开路的FAULT端口输出错误信号。浮动通道可驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达300V。采用SOIC8封装，可在 -40℃~125℃温度范围内工作。
商品特性
- 自举工作的浮地通道
- 最高工作电压为 +300V
- 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
- dVs/dt耐受能力可达 ±50V/ns
- Vs负偏压能力达 -5V
- 输入输出同相位
- 栅极驱动电压从8V到22V
- 栅极驱动拉/灌电流4A/4A
- 集成欠压锁定电路，欠压阈值6.8V/7.2V
- 芯片传输延时特性：开通/关断传输延时Ton/Toff = 150ns/150ns
- 宽温度范围 -40℃~125℃
- Fault引脚故障输出
- 符合RoHS标准SOIC8 (S)
应用领域
- 电机控制和驱动
- 机器人技术
- 电动汽车快速充电