温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NSG21281
带过流检测的单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片，采用高低压兼容工艺，内置过流保护和欠压锁定电路
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NSG21281
- 商品编号
- C53436470
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2665克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
NSG21281 是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧 MOSFET/IGBT 驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的 FAULT 端口输出错误信号。其浮动通道可用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高工作电压可达 300V。采用 SOIC8 封装，可以在 -40℃ ~ 125℃ 温度范围内工作。
商品特性
- 自举工作的浮地通道
- 最高工作电压为 +300V
- 兼容 3.3V、5V 和 15V 输入逻辑
- dVS/dt 耐受能力可达 ±50 V/ns
- Vs 负偏压能力达 -5V
- 输入输出同相位
- 栅极驱动电压从 8.2V 到 20V
- 集成欠压锁定电路，欠压阈值 6.8V/7.2V
- 芯片传输延时特性：开通/关断传输延时 Ton/Toff = 150ns/150ns
- 宽温度范围 -40℃ ~ 125℃
- Fault 引脚故障输出
- 符合 RoSH 标准 SOIC8 (S)
应用领域
- 电机控制和驱动
- 机器人技术
- 电动汽车快速充电