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NSG0462UQ
带LDO的三相PMOS+NMOS半桥驱动芯片，高低压兼容，内置死区功能和欠压锁定电路
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NSG0462UQ
- 商品编号
- C53436475
- 商品封装
- QFN-16(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.352497克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
NSG0462UQ是一款三相高速功率MOSFET驱动器，具有6个通道，最高工作电压可达40V。采用高低压兼容工艺，使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。逻辑兼容CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑输入。此外，采用内置死区功能来避免高压侧交叉导通。NSG0462UQ为PMOS和NMOS输出10V门电源电压，为了简化PCB设计，NSG0462UQ中集成了一个5V/40mA的LDO，用于为MCU或其他芯片供电。
商品特性
- P/N MOS半桥式三相输出
- 最高工作电压可达40V
- 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
- dv/dt耐受能力可达±50V/ns
- P/NMOS |VGs|可达10V
- 内置5V/40mA LDO
- 栅极驱动电压：5V~40V
- 宽温度范围-40~125℃
- 防直通逻辑，内置130ns死区时间
- 芯片开通关断延时特性：Ton/Toff = 80ns/30ns，高低侧延时匹配
- 驱动电流能力：拉电流/灌电流 = 50mA/300mA
- 内置欠压锁定电路，欠压锁定正向阈值4.5V，欠压锁定负向阈值4.3V
- 符合RoHS标准
- QFN16封装
应用领域
- 中小型功率电机驱动
- 功率MOSFET驱动
- 半桥/全桥电源转换器
- 任何互补驱动转换器