NVMFS5C450NAFT1G-HXY

NVMFS5C450NAFT1G-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备130A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为2.8毫欧。如此低的导通电阻有效降低了导通状态下的功率损耗，适合在高电流、高效率要求的电源转换和开关应用中使用。其电气特性支持快速开关操作，适用于对热性能和能效有较高要求的电子系统，如大功率电源模块、电池管理系统及高效电机控制等场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NVMFS5C450NAFT1G-HXY

商品编号

C53262880

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.16克(g)