NTMFS5H431NLT1G-HXY

NTMFS5H431NLT1G-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有130A的连续漏极电流（ID）、40V的漏源击穿电压（VDSS）以及2.8毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其极低的导通电阻有助于显著减少导通损耗，在高电流工作条件下维持较低温升。适用于大电流开关电源、电机驱动、电池充放电控制及高效功率转换等场合，能够在高频开关操作中保持良好的电气性能和热稳定性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTMFS5H431NLT1G-HXY

商品编号

C53262879

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.16克(g)