NVMFS5C450NWFAFT1G-HXY

NVMFS5C450NWFAFT1G-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备130A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为2.8毫欧。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，提升系统能效，适用于高电流开关电源、电机控制、电池管理系统及各类高效功率转换电路。其大电流承载能力与低阻特性使其在高频、高效率应用场景中表现稳定可靠。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NVMFS5C450NWFAFT1G-HXY

商品编号

C53262878

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.16克(g)