IPC90N04S5L3R3ATMA1-HXY

IPC90N04S5L3R3ATMA1-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有130A的连续漏极电流（ID）、40V的漏源击穿电压（VDSS），以及低至2.8毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其低导通电阻有效减少功率损耗和发热，适合在高电流密度环境下运行。典型应用包括大功率直流电源、高效同步整流电路、电动工具驱动单元及高频率开关电源等场合，能够满足对电气性能和热稳定性要求较高的设计需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPC90N04S5L3R3ATMA1-HXY

商品编号

C53262877

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.16克(g)