BSC032N04LSATMA1-HXY

BSC032N04LSATMA1-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备130A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为2.8毫欧。其极低的导通电阻有助于显著降低导通损耗，在高电流工作条件下维持较低温升。适用于对效率和热性能要求较高的电源转换、大电流开关以及电池管理系统等应用场景，能够支持频繁开关操作并保持稳定可靠的电气特性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

BSC032N04LSATMA1-HXY

商品编号

C53262876

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.141414克(g)