NVMFS5C673NLT3G-HXY
NVMFS5C673NLT3G-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具备65A的连续漏极电流能力,最大漏源电压为60V,导通电阻为8毫欧,在栅源电压不超过20V的条件下稳定运行。其低导通电阻有助于有效降低导通损耗,提升整体效率。适用于高电流密度的电源转换、电机驱动以及高频开关电路等应用场景,能够在有限空间内实现良好的热管理和电气性能。
- 商品型号
- NVMFS5C673NLT3G-HXY
- 商品编号
- C53262875
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145克(g)
商品参数
参数完善中
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