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NVMFS5C673NLT1G-HXY
NVMFS5C673NLT1G-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET额定漏极电流为65A，最大漏源电压为60V，导通电阻为8毫欧，在栅源电压达20V时可确保可靠工作。其较低的导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统能效。器件适用于高电流、高效率要求的电源管理、电机控制及开关电源等应用场合，能够在紧凑布局中实现良好的热性能与电气性能。
- 商品型号
- NVMFS5C673NLT1G-HXY
- 商品编号
- C53262874
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.146克(g)
商品参数
参数完善中
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