NVMFS5C670NLT3G-HXY

NVMFS5C670NLT3G-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为5.3mΩ，栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，适合用于高效率电源转换、大电流开关电路及电机控制等场合。其高电流承载能力与低阻特性相结合，有助于提升系统热稳定性和整体能效表现。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NVMFS5C670NLT3G-HXY

商品编号

C53262873

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.136克(g)