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SI7164DP-T1-GE3-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）、60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为5.3毫欧，最大栅源电压（VGS）为20V。器件在高电流工作条件下展现出较低的导通损耗和良好的热性能，适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统及高频开关电路等应用。其低导通电阻有助于提升整体能效，同时支持标准逻辑电平驱动，便于在多种电子系统中实现高效可靠的功率控制。
- 商品型号
- SI7164DP-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53262871
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.136克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 108W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.136nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 257pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 286pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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