SI7164DP-T1-GE3-HXY

SI7164DP-T1-GE3-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）、60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为5.3毫欧，最大栅源电压（VGS）为20V。器件在高电流工作条件下展现出较低的导通损耗和良好的热性能，适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统及高频开关电路等应用。其低导通电阻有助于提升整体能效，同时支持标准逻辑电平驱动，便于在多种电子系统中实现高效可靠的功率控制。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SI7164DP-T1-GE3-HXY

商品编号

C53262871

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.136克(g)