温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI7460DP-T1-GE3-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）额定漏极电流（ID）为65A，漏源电压（VDSS）为60V，导通电阻（RDS(ON)）为8毫欧，栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。器件在中高电流条件下具备良好的导通特性与开关性能，适用于电源管理、电机控制、电池保护及各类高效能开关电路。其较低的导通电阻有助于降低功耗，提升系统热稳定性，同时兼容标准逻辑电平驱动，便于集成于多种电子系统中。
- 商品型号
- SI7460DP-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53262870
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.146克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
相似推荐
其他推荐
- SI7164DP-T1-GE3-HXY
- SI7460DP-T1-E3-HXY
- NVMFS5C670NLT3G-HXY
- NVMFS5C673NLT1G-HXY
- NVMFS5C673NLT3G-HXY
- BSC032N04LSATMA1-HXY
- IPC90N04S5L3R3ATMA1-HXY
- NVMFS5C450NWFAFT1G-HXY
- NTMFS5H431NLT1G-HXY
- NVMFS5C450NAFT1G-HXY
- NVMFWS2D9N04XMT1G-HXY
- BSC030N04NSGATMA1-HXY
- FDMS8848NZ-HXY
- NVMFS5C450NT3G-HXY
- IRLH7134TRPBF-HXY
- NVMFS5C450NWFT1G-HXY
- NTMFS5C450NT1G-HXY
- NTMFS5C450NT3G-HXY
- NVMFS5C450NWFAFT3G-HXY
- ISC080N10NM6ATMA1-HXY
- BSC040N10NS5ATMA1-HXY