SI7460DP-T1-GE3-HXY

SI7460DP-T1-GE3-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）额定漏极电流（ID）为65A，漏源电压（VDSS）为60V，导通电阻（RDS(ON)）为8毫欧，栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。器件在中高电流条件下具备良好的导通特性与开关性能，适用于电源管理、电机控制、电池保护及各类高效能开关电路。其较低的导通电阻有助于降低功耗，提升系统热稳定性，同时兼容标准逻辑电平驱动，便于集成于多种电子系统中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SI7460DP-T1-GE3-HXY

商品编号

C53262870

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.146克(g)