NVMFS5C645NT1G-HXY

NVMFS5C645NT1G-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.7毫欧。器件在高电流应用中表现出优异的导通性能与能效，适用于对功率密度和热管理有较高要求的电源转换、电机驱动及高频开关电路等场景。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统整体效率，同时支持紧凑型电路布局。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NVMFS5C645NT1G-HXY

商品编号

C53262869

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.14克(g)