DMTH6005LPSWQ-13-HXY

DMTH6005LPSWQ-13-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备100A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为3.7毫欧。其低导通电阻有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效。器件适用于高电流、中低压的电力电子系统，如开关电源、电机控制及电池供电设备中的功率开关环节，能够在保持较低温升的同时实现高效能量转换。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMTH6005LPSWQ-13-HXY

商品编号

C53262867

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.14克(g)