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BSC0704LSATMA1-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有65A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）低至8毫欧。其低导通电阻有助于显著降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。适用于高效率电源转换、电机驱动、电池管理系统以及各类需要大电流处理能力的电子装置，能够在紧凑布局中实现良好的热性能与可靠运行。
- 商品型号
- BSC0704LSATMA1-HXY
- 商品编号
- C53262866
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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