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SIHG61N65EF-GE3-HXY
SIHG61N65EF-GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有55A的漏极电流额定值，漏源击穿电压为650V，导通电阻为45mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频开关性能和较低的导通损耗，在高效率电源转换、可再生能源系统及高功率密度电源模块中可发挥重要作用。其宽栅压范围提升了驱动电路的设计灵活性，同时低RDS(on)有助于减少发热，提升系统整体稳定性与能效表现。
- 商品型号
- SIHG61N65EF-GE3-HXY
- 商品编号
- C53134069
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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