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STW63N65DM2-HXY
STW63N65DM2-HXY
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备55A的漏极电流能力与650V的漏源耐压，导通电阻为45mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关条件下保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高性能计算供电等场景。其电气参数支持在紧凑布局中实现稳定可靠的功率控制，同时有助于提升整体系统能效与热性能。
- 商品型号
- STW63N65DM2-HXY
- 商品编号
- C53134072
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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