NVH050N65S3F-HXY

NVH050N65S3F-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备55A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻典型值为45mΩ，在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换系统。其低RDS(on)有助于减小导通压降，提升整体能效，同时宽VGS范围增强了驱动兼容性与可靠性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NVH050N65S3F-HXY

商品编号

C53134068

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)