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IPW65R125C7XKSA1-HXY
IPW65R125C7XKSA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为32A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。基于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高性能计算设备中的功率管理模块，能够有效支持紧凑型高密度电路设计。
- 商品型号
- IPW65R125C7XKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133932
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.26克(g)
商品参数
参数完善中
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