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R6535ENZ4C13-HXY
R6535ENZ4C13-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有32A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为94mΩ，在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温特性和开关性能，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统。其低导通损耗与快速开关能力有助于提升整体能效，适合用于高频、高效率的电力电子应用场合。
- 商品型号
- R6535ENZ4C13-HXY
- 商品编号
- C53133927
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.16克(g)
商品参数
参数完善中
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