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FCH125N65S3R0-F155-HXY
FCH125N65S3R0-F155-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备32A的漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关应用中展现出较低的导通损耗和优异的热稳定性，适用于高效率电源、服务器电源、光伏逆变系统及对功率密度有较高要求的电力电子设备。
- 商品型号
- FCH125N65S3R0-F155-HXY
- 商品编号
- C53133928
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.32克(g)
商品参数
参数完善中
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