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NTHL125N65S3H-HXY
NTHL125N65S3H-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备32A的漏极电流能力与650V的漏源耐压，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关操作中展现出较低的导通与开关损耗，并具有良好的高温工作稳定性。适用于高效率电源转换、可再生能源系统及对体积紧凑性和热管理有明确要求的电力电子设备。
- 商品型号
- NTHL125N65S3H-HXY
- 商品编号
- C53133930
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.29克(g)
商品参数
参数完善中
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