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R6535KNZ4C13-HXY
R6535KNZ4C13-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备32A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻典型值为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。其结构基于碳化硅半导体材料，具有较高的开关速度和较低的导通损耗，在高频运行条件下仍能维持良好的效率与热性能。适用于对功率密度、转换效率及长期稳定性有明确要求的电源系统，尤其适合在紧凑型高电压应用场景中使用。
- 商品型号
- R6535KNZ4C13-HXY
- 商品编号
- C53133926
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.22克(g)
商品参数
参数完善中
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