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STW35N65DM2-HXY
STW35N65DM2-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有32A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热性能要求较高的电力转换场景。其电气参数组合使其在高电压、中等电流的应用中具备良好的动态响应与可靠性。
- 商品型号
- STW35N65DM2-HXY
- 商品编号
- C53133925
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.32克(g)
商品参数
参数完善中
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