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SI8921BD-IS4-HXY

用于电流检测的高精度隔离式运放，采用二氧化硅隔离层，具备高共模瞬态抗扰度和内部故障检测功能，适用于工业电机控制和驱动

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描述: 该运算放大器工作电压范围为3V至5.5V，适合低功耗信号处理应用。其最大数据速率可达150Mbps，具备150kV/μs的共模瞬态抗扰度（CMTI），确保在高噪声环境下信号传输的稳定性。器件集成3个正向通道和1个反向通道，支持多方向信号隔离与放大，适用于需要高速数字隔离与模拟信号调理的复杂电路系统，可用于通信模块、电源管理及高性能数据采集等场景。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SI8921BD-IS4-HXY
商品编号: C52145205
商品封装: SOW-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.3635克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	电流感应放大器
	放大器数	-
	共模电压	-160mV~3.4V
	增益	8.2V/V
	带宽(-3db)	310kHz
	输入偏置电流(Ib)	30uA
	输入失调电压(Vos)	1mV
	工作温度	-40℃~+125℃
	差分电压	±250mV

	属性	参数值
	单电源电压	3V~5.5V
	双电源电压(Vee~Vcc)	-
	静态电流(Iq)	-
	输出电流	13mA
	输入失调电压温漂(Vos TC)	4uV/℃
	压摆率(SR)	-
	共模抑制比(CMRR)	98dB
	输入电压噪声密度(eN)	-
	功能特性	模拟输出接口；增强隔离功能

商品概述

为基于分流电阻的电流检测而优化的高精度隔离式运放。低的失调和增益误差以及相关温漂能够在全工作温度范围内保持测量的精度。采用二氧化硅作为隔离层，支持符合UL 1577认证的高达5 kVRMS的电气隔离。该技术将高低压域分开从而防止低压器件被损坏，同时提供低辐射和高磁场抗扰度。高共模瞬态抗扰度意味着在隔离层之间正确地传递信号，适合要求高压、大功率开关的工业电机控制和驱动应用场合。内部输入共模过压和高边电源丢失检测功能有助于故障诊断和系统安全。通过八脚SOW封装，支持在额定扩展工业温度范围-40°C 到 125°C内正常工作。

商品特性

差分输入电压范围：±250 mV
固定初始增益：8.2 或 41
低输入失调和温漂：25°C 时 ±1 mV（最大值），±4 μV/°C（最大值）
低增益误差和温漂：25°C 时 ±0.5%（最大值），±50 ppm/°C（最大值）
低非线性度和温漂：额定范围内 0.01%（典型值），±1 ~ ppm/°C（典型值）
高边和低边均支持 3.3 V 和 5 V 供电电压
高共模瞬态抗扰度：±150 kV/μs（典型值）
宽工作温度范围：-40°C 到 125°C
安全和法规认证：符合 DIN EN IEC 60747-17 标准的 7070 VPK 隔离耐压；符合 UL 1577 认证，1 分钟 5 kVRMS；TUV 相关认证
额定工作电压下使用寿命大于 40 年

应用领域

电机驱动
电源
工业控制

数据手册PDF

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